J112RL1G,J112RL1G|ON Semiconductor代理分销-J112RL1G原装现货,PDF下载
PDF查询| 产品变化通告 ： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装 ： | 2,000 |
| 系列 ： | - |
| 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0) ： | 5mA @ 15V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | - |
| 漏极电流 (Id) - 最大 ： | - |
| FET 型 ： | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) ： | 35V |
| 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id ： | 1V @ 1µA |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | - |
| 电阻 - RDS（开） ： | 50 欧姆 |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 包装 ： | 带卷 (TR) |
| 封装/外壳 ： | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线 |
| 供应商设备封装 ： | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 ： | 350mW |
