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IXZ308N120
- 场效应管 MOSFET N RF DE375 - IXZ308N120
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IXZ308N120
制造商型号:
IXZ308N120
制造商:
IXYS RF
描述:
场效应管 MOSFET N RF DE375
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N RF DE375
晶体管类型: RF MOSFET
漏源电压, Vds: 1.2kV
电流, Id 连续: 8A
功耗, Pd: 880W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: DE375
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
上升时间: 5ns
功耗, Pd: 880W
功耗最大值: 880W
在电阻RDS(上): 2.1ohm
封装/箱盒: DE-375
封装类型: DE-375
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
工作频率范围: -
晶体管极性: N沟道
电压 Vgs @ Rds on 测量: 20V
电压, Vds 典型值: 1.2kV
电容值, Ciss 典型值: 1960pF
阈值电压, Vgs th 典型值: 6.5V
产地: US United States
手机网站相关详细信息:
IXZ308N120
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
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旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: IXZ308N120 品牌: IXYS RF 备注: 场效应管 MOSFET N RF DE375
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