数据列表 | IXT(H,Q,T,V)36N50P(S) |
---|---|
PCN Obsolescence | Multiple Devices 22/Feb/2013 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | PolarHV™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 36A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 170 毫欧 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 85nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5500pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 540W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PLUS-220SMD |
供应商器件封装 | PLUS-220SMD |