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IXTV200N10T|IXYS
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IXTV200N10T
制造商型号: IXTV200N10T
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IXTV200N10T(S)
产品相片 IXTV200N10T
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMV™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)200A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)5.5 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)152nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9400pF @ 25V
功率 - 最大值550W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3(SMT)标片
供应商器件封装PLUS220

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