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IXTT50N30
制造商型号： IXTT50N30
制造商： Ixys
描述： MOSFET 50 Amps 300V 0.065 Rds
技术参考：

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产品信息

制造商:

IXYS

RoHS:

符合

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

300 V

闸/源击穿电压:

+/- 20 V

漏极连续电流:

50 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

65 mOhms

配置:

Single

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TO-268

封装:

Tube

下降时间:

17 ns

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

400 W

上升时间:

33 ns

工厂包装数量:

典型关闭延迟时间:

70 ns

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