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IXTQ23N60Q
制造商型号： IXTQ23N60Q
制造商： Ixys
描述： MOSFET 23 Amps 600V 0.320 Rds
技术参考：

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产品信息

制造商:

IXYS

RoHS:

符合

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

600 V

闸/源击穿电压:

+/- 30 V

漏极连续电流:

23 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

320 mOhms

配置:

Single

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-3P

封装:

Tube

下降时间:

20 ns

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

400 W

上升时间:

20 ns

工厂包装数量:

典型关闭延迟时间:

45 ns

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