型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP2N100P 库存编号:747-IXTP2N100P | IXYS Corporation | MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds | 103 1起订 | 1+ 10+ 50+ 100+ 250+ 500+ 1000+ | ¥41.72 ¥34.63 ¥29.79 ¥26.95 ¥22.46 ¥19.62 ¥18.44 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP2N100P 库存编号:IXTP2N100P | IXYS Corporation | MOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds | 0 300起订 | 300+ 500+ 1000+ | ¥25.83 ¥22.53 ¥21.16 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP2N100P 库存编号:IXTP2N100P | IXYS Corporation | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 1kV, 2A, 86W, TO220AB, 800ns | 0 1起订 | 1+ 3+ 10+ 50+ | ¥37.74 ¥33.88 ¥29.88 ¥27.02 | 1-3周 | 询价 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTP2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTP2N100P IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | IXYS MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220 详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 86W(Tc) TO-220AB 型号:IXTP2N100P 仓库库存编号:IXTP2N100P-ND | 无铅 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTP2N100P IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTP2N100P IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Ixys MOSFET N, 1000 V 2.0 A 86 W TO-220, IXTP2N100P, Ixys 型号:IXTP2N100P 仓库库存编号:171-31-395 | 搜索 |
数据列表 | IXT(A,P,Y)2N100P |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | Polar™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 7.5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24.3nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 655pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 86W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |