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| IXTP1R6N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXTP1R6N50P IXYS | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 详细描述：通孔 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB 型号：IXTP1R6N50P 仓库库存编号：IXTP1R6N50P-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | IXTP1R6N50P IXYS SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N TO-220 | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | IXT(P,Y)1R6N50P |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PolarHV™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 500V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.9nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 43W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
