IXTN62N50,IXTN62N50|IXYS代理分销-IXTN62N50原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 36 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 550 nC V @ 20 | |
| 典型输入电容值@Vds | 11500 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 螺丝 | |
| 宽度 | 25.42mm | |
| 封装类型 | SOT-227B | |
| 尺寸 | 38.23 x 25.42 x 9.6mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 800000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.1 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 62 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双源、单 | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 高度 | 9.6mm |
