数据列表 | IXTL2X220N075T |
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PCN Obsolescence | IXT Series 30/Oct/2012 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | TrenchMV™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 75V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 120A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.5 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 165nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7700pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 150W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | ISOPLUSi5-Pak? |
供应商器件封装 | ISOPLUSi5-Pak? |