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IXTB62N50L [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IXTB62N50L [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
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IXTB62N50L [更多] | IXYS Corporation | Single N-Channel 500 V 100 mOhm 800 W Power Mosfet - PLUS-264 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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IXTB62N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IXYS MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264 详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 800W(Tc) PLUS264? 型号:IXTB62N50L 仓库库存编号:IXTB62N50L-ND | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IXTB62N50L |
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产品相片 | TO-264 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 62A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 100 毫欧 @ 31A,20V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 550nC @ 20V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 11500pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 800W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
供应商器件封装 | PLUS264? |