型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTA3N120-TRL | Littelfuse Inc | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | 839 1起订 | 1+ 10+ 100+ | ¥108.75 ¥76.37 ¥108.75 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IXTA3N120-TRL | Littelfuse Inc | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | 839 1起订 | 1+ 10+ 100+ | ¥108.75 ¥76.37 ¥108.75 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
IXTA3N120-TRL | Littelfuse Inc | MOSFET N-CH 1200V 3A TO263 | 0 800起订 | 800+ | ¥57.63 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | Unidentified RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | ECN-ARW-TBD
| 搜索 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | ECN-ARW-TBD
| 搜索 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | ECN-ARW-TBD
| 搜索 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | ECN-ARW-TBD
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IXTA3N120TRL [更多] | IXYS Corporation | Single N-Channel 1200 V 4.5 Ohm 200 W Power Mosfet - TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IXTA3N120TRL | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTA3N120TRL IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTA3N120TRL IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | IXTA3N120TRL IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | IXYS MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263 详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 200W(Tc) TO-263(IXTA) 型号:IXTA3N120TRL 仓库库存编号:IXTA3N120CT-ND 别名:IXTA3N120CT | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | IXT(A,P)3N120 |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 800 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4.5 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1350pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 200W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263 |
其它名称 | IXTA3N120TR |