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| IXTA26P10T | IXYS | MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXTA26P10T IXYS | MOSFET P-CH 100V 26A TO-263  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET P-CH 100V 26A TO-263 详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA） 型号：IXTA26P10T 仓库库存编号：IXTA26P10T-ND | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IXT(Y,A,P)26P10T |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchP™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 26A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 90 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3820pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA |
| 供应商器件封装 | TO-263AA |
