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| IXSH10N60B2D1 [更多] | IXYS Corporation | IGBT Transistors 10 Amps 600V 2.5 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IXSH10N60B2D | IXYS | Transistor,IGBT,with Diode,20A,600V,IXSH10N60B2D1 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXYS IGBT 600V 20A 100W TO247 详细描述：IGBT PT 600V 20A 100W Through Hole TO-247AD (IXSH) 型号：IXSH10N60B2D1 仓库库存编号：IXSH10N60B2D1-ND |  | 搜索 |
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 | IXSH10N60B2D IXYS | Transistor,IGBT,with Diode,20A,600V,IXSH10N60B2D1 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IXSH10N60B2D1 IXYS | IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO247 | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 尺寸 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大连续集电极电流 | 20 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 高度 | 21.46mm |
