IXGT30N60B2D1,IXGT30N60B2D1|IXYS代理分销-IXGT30N60B2D1原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IXG(H,T)30N60B2D1 |
|---|---|
| PCN Obsolescence | IGBT’s 600V Legacy 08/May/2013 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | HiPerFAST™ |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.8V @ 15V，24A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 70A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| 功率 - 最大值 | 190W |
| Switching Energy | 320µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 66nC |
| Td (on/off) A 25°C | 13ns/110ns |
| Test Condition | 400V，24A，5 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 100ns |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
