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IXGQ35N120BD1|IXYS
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IXGQ35N120BD1
制造商型号: IXGQ35N120BD1
制造商: IXYS
描述: IGBT 1200V 75A FRD TO-3P
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IXGQ35N120BD1
产品相片 TO-3P-3,TO-247-3
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  管件  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)3.3V @ 15V,35A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)75A
Current - Collector Pulsed (Icm)200A
功率 - 最大值400W
Switching Energy900µJ(开),3.8mJ(关)
输入类型标准
Gate Charge140nC
Td (on/off) A 25°C40ns/270ns
Test Condition-
反向恢复时间 (trr)40ns
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
安装类型通孔
供应商器件封装TO-3P

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