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| IXGN60N60C2D1 [更多] | IXYS Corporation | IGBT Transistors 60 Amps 600V 1.7 V Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IXGN60N60C2D | IXYS | 晶体管，IGBT，N沟道，600V，75A，SOT227B | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXGN60N60C2D IXYS | 晶体管，IGBT，N沟道，600V，75A，SOT227B 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS IGBT 600V 75A SOT-227B 详细描述：IGBT Module PT Single 600V 75A 480W Chassis Mount SOT-227B 型号：IXGN60N60C2D1 仓库库存编号：IXGN60N60C2D1-ND | | 搜索 |
PDF查询| 安装类型 | 螺丝 | |
| 宽度 | 25.07mm | |
| 封装类型 | SOT-227B | |
| 尺寸 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大连续集电极电流 | 100 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单双发射极 | |
| 长度 | 38.2mm | |
| 高度 | 9.6mm |
