IXGH40N120B2D,IXGH40N120B2D|IXYS代理分销-IXGH40N120B2D原装现货,PDF下载
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IXGH40N120B2D1
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IXYS Corporation

IGBT 1200V 75A 380W TO247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXGH40N120B2D1
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IXYS Corporation

IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A

RoHS: Compliant

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IXGH40N120B2D1
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IXYS Corporation

IGBT, SINGLE, 1.2KV, 75A, TO-247

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无图IXGH40N120B2D
IXYS
晶体管,IGBT,N沟道,1.2kV,75A,TO247
Rohs

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IXGH40N120B2D1|IXYSIXGH40N120B2D1
IXYS
IGBT HI SPEED 1200V 75A TO-247
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IGBT HI SPEED 1200V 75A TO-247
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IXYS - IXGH40N120B2D1 - IGBT 1200V 75A 380W TO247
IXYS
IGBT 1200V 75A 380W TO247

详细描述:IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD (IXGH)

型号:IXGH40N120B2D1
仓库库存编号:IXGH40N120B2D1-ND
别名:Q3206197 <br>

无铅
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IXYS - IXGH40N120B2D1 - IXYS IXGH40N120B2D1 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
IXGH40N120B2D1
品牌:
IXYS
库存编号:
192-988
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IGBT HI SPEED 1200V 75A TO-247
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IXYS
晶体管,IGBT,N沟道,1.2kV,75A,TO247
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IXGH40N120B2D
制造商型号: IXGH40N120B2D
制造商: IXYS
描述: 晶体管,IGBT,N沟道,1.2kV,75A,TO247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
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产品信息
安装类型通孔
宽度5.3mm
封装类型TO-247
尺寸16.26 x 5.3 x 21.46mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大栅极发射极电压±20V
最大连续集电极电流75 A
最大集电极-发射极电压1200 V
最高工作温度+150 °C
通道类型N
配置
长度16.26mm
高度21.46mm

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