数据列表 | IXG(A,P)8N100 |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1000V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,8A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 16A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 32A |
功率 - 最大值 | 54W |
Switching Energy | 2.3mJ(关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 26.5nC |
Td (on/off) A 25°C | 15ns/600ns |
Test Condition | - |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | TO-263 |