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| IXFT26N60Q [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 26A（Tc） 360W（Tc） TO-268 型号：IXFT26N60Q 仓库库存编号：IXFT26N60Q-ND |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IXF(H,T)26N60Q |
|---|---|
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 26A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 250 毫欧 @ 13A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 4mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 200nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5100pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 360W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
