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IXFP4N100Q [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IXFP4N100Q [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
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IXFP4N100Q [更多] | IXYS Corporation | MOSFET, N, TO-220
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IXFP4N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 | 查看库存、价格及货期 |
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IXFP4N100Q![]() | 1427335 | IXYS SEMICONDUCTOR 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1 kV, 3 ohm, 10 V, 5 V ![]() | 搜索 |
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![]() | IXYS MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB 型号:IXFP4N100Q 仓库库存编号:IXFP4N100Q-ND | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | IXF(A,P)4N100Q |
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产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HiPerFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3 欧姆 @ 2A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1.5mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 39nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1050pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 150W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |