| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IXFN60N80 | IXYS | MOSFET，N沟道，800V，53A，SOT227B | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXYS MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B 详细描述：底座安装 N 沟道 53A（Tc） 1040W（Tc） SOT-227B 型号：IXFN60N80P 仓库库存编号：IXFN60N80P-ND | 无铅 | 搜索 |
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 | IXFN60N80P IXYS | MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXFN60N80 IXYS | MOSFET，N沟道，800V，53A，SOT227B 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IXFN60N80P Ixys | MOSFET DIODE Id54 BVdass800 | 查价格库存 查看详细 |
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| IXFN60N80 IXYS | MOSFET，N沟道，800V，53A，SOT227B 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IXFN60N80P Ixys | MOSFET DIODE Id54 BVdass800 | 查价格库存 查看详细 |
 | IXFN60N80P IXYS SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N型 SOT-227B | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IXFN60N80P 品牌： IXYS 库存编号： 194-350 | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IXFN60N80P | 1427326 | IXYS SEMICONDUCTOR 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 800 V, 140 mohm, 10 V, 5 V (EN) | 搜索 |
| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 36 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 250 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 18000 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 螺丝 | |
| 宽度 | 25.42mm | |
| 封装类型 | SOT-227B | |
| 尺寸 | 38.23 x 25.42 x 9.6mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1040000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.14 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 53 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双源、单 | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 高度 | 9.6mm |
