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IXFN23N100
制造商型号： IXFN23N100
制造商： Ixys
描述： MOSFET 23 Amps 1000V 0.43 Rds
技术参考：

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库存状态： 实时库存查询 所在地：深圳全新原装现货
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产品信息

制造商:

IXYS

RoHS:

符合

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

1000 V

闸/源击穿电压:

+/- 20 V

漏极连续电流:

24 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

390 mOhms

配置:

Single Dual Source

最大工作温度:

+ 150 C

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-227B

封装:

Tube

下降时间:

21 ns

最小工作温度:

- 55 C

功率耗散:

568 W

上升时间:

35 ns

工厂包装数量:

典型关闭延迟时间:

75 ns

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