数据列表 | IXFB62N80Q3 |
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产品相片 | TO-264 |
特色产品 | Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HiPerFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 800V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 62A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 140 毫欧 @ 31A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 8mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 270nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 13600pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1560W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
供应商器件封装 | PLUS264? |