数据列表 | IXB(H,T)12N300 |
---|---|
产品相片 | IXBT12N300 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | BIMOSFET™ |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 3000V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.2V @ 15V,12A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 100A |
功率 - 最大值 | 160W |
Switching Energy | - |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 62nC |
Td (on/off) A 25°C | - |
Test Condition | - |
反向恢复时间 (trr) | 1.4µs |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | TO-268 |