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ISL9N307AS3ST
- MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized - ISL9N307AS3ST
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ISL9N307AS3ST
制造商型号:
ISL9N307AS3ST
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:
Fairchild Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
30 V
闸/源击穿电压:
+/- 20 V
漏极连续电流:
75 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
11.5 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 175 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-263AB
封装:
Reel
下降时间:
40 ns, 35 ns
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
100 W
上升时间:
70 ns, 45 ns
工厂包装数量:
800
典型关闭延迟时间:
40 ns, 60 ns
手机网站相关详细信息:
ISL9N307AS3ST
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
ISL9N307AS3ST
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: ISL9N307AS3ST 品牌: Fairchild Semiconductor 备注: MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
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Q Q:
800152669
手机网站:
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