IS43DR86400C-25DBL-TR,IS43DR86400C-25DBL-TR|ISSI代理分销-IS43DR86400C25DBLTR原装现货,PDF下载
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IS43DR86400C-25DBL-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IS43DR86400C-25DBL
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Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM

RoHS: Compliant

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IS43DR86400C-25DBL-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2

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型号 制造商 描述 操作
IS43DR86400C-25DBL-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin TWBGA T/R - Tape and Reel (Alt: IS43DR86400C-25DBL-TR)

RoHS: Compliant

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-25DBL-TR - IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA

详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400ps 60-TWBGA(10.5x8)

型号:IS43DR86400C-25DBL-TR
仓库库存编号:IS43DR86400C-25DBL-TR-ND

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IS43DR86400C-25DBL-TR
制造商型号: IS43DR86400C-25DBL-TR
制造商: ISSI
描述: 动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
制造商:ISSI
RoHS: 符合
数据总线宽度:8 bit
组织:64 M x 8
封装 / 箱体:BGA-60
存储容量:512 Mbit
最大时钟频率:400 MHz
访问时间:400 ps
电源电压-最大:1.9 V
电源电压-最小:1.7 V
最大工作电流:135 mA
最大工作温度:+ 85 C
封装:Reel
最小工作温度:- 40 C
安装风格:SMD/SMT

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