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产品信息

• 芯片 高/低边驱动器
• 器件类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
• 模块配置: 高压侧/低压侧
• 输出电流 峰值: 1A
• ???源电压最小值: 10V
• 电源电压最大值: 20V
• 封装类型: DIP
• 针脚数: 8
• 输入延迟: 60ns
• 输出延时: 60ns
• 工作温度最小值: -40°C
• 工作温度最高值: 125°C
• SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
• 器件标号: 2011
• 封装/箱盒: DIP
• 工作温度范围: -40°C 至 +125°C
• 电源电压范围: 10V 至 20V
• 表面安装器件: 通孔
• 输出数: 2
• 输出电压: 220V
• 输出电压 最大: 20V
• 输出电流 汲入型 最小: 1000mA
• 输出电流 流出型 最小: 1000mA
• 输出电流, 最大: 1A
• 输出端吸入电流: 1A

产地： US United States

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• 型号: IRS2011PBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 芯片 高/低边驱动器

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