| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLZ34L | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLZ34L VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 60V 30A TO-262  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-262-3 型号：IRLZ34L 仓库库存编号：IRLZ34L-ND 别名：*IRLZ34L | 含铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRLZ34S/L |
|---|---|
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 18A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.7W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | TO-262-3 |
| 其它名称 | *IRLZ34L |
