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| IRLW630ATM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLW630ATM | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK 详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） I2PAK 型号：IRLW630ATM 仓库库存编号：IRLW630ATM-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IRLW/I630A |
|---|---|
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 9A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 400 毫欧 @ 4.5A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 755pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
