数据列表 | IRL(R,U)3636PBF |
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产品相片 | DPAK_369D?01 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRLR3636PBF Saber Model IRLR3636PBF Spice Model |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 50A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6.8 毫欧 @ 50A, 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 49nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3779pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 143W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商器件封装 | I-Pak |
产品目录页面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |