IRLU3636PBF,IRLU3636PBF|International Rectifier代理分销-IRLU3636PBF原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRL(R,U)3636PBF |
|---|---|
| 产品相片 | DPAK_369D?01 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRLR3636PBF Saber Model IRLR3636PBF Spice Model |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 50A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6.8 毫欧 @ 50A， 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 49nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3779pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 143W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 产品目录页面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
