| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLU120NPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，10A，IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLU120NPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK  | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLU120NPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，10A，IPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLU120NPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK | 查价格库存 查看详细 |
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| IRLU120NPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK | 查价格库存 查看详细 |
| IRLU120NPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，10A，IPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLU120NPBF | 8651345 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 100 V, 185 mohm, 10 V, 2 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRLU120NPBF 品牌： Infineon 库存编号： 543-1718 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR Power FET IPAK N 100 V 11 A, IRLU120NPBF, IR 型号：IRLU120NPBF 仓库库存编号：171-39-611 | | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | International Rectifier MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.185Ohm; ID 10A; I-Pak (TO-251AA); PD 48W 型号：IRLU120NPBF 仓库库存编号：70017413 |  | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK 详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251） 型号：IRLU120NPBF 仓库库存编号：IRLU120NPBF-ND 别名：*IRLU120NPBF SP001567330 | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 440 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 封装类型 | IPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.3 x 6.1mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 48 W | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.185 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 6.1mm |
