数据列表 | IRLR024ZPbF, IRLU024ZPbF |
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产品相片 | DPAK_369D?01 |
设计资源 | IRLR024Z Saber Model IRLR024Z Spice Model |
PCN Obsolescence | IRLR024Zxx 17/Jan/2013 |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 16A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 58 毫欧 @ 9.6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.9nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 380pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 35W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | *IRLU024ZPBF |