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| IRLR9343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRLR9343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR9343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR9343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Rail/Tube (Alt: IRLR9343PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR9343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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| IRLR9343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR9343PBF [更多] | International Rectifier |
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| IRLR9343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: P-MOSFET, unipolar, logic level, -55V, -20A, 79W, DPAK
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| IRLR9343PBF [更多] | International Rectifier | 20A, 55V, 0.105OHM, P-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-252AA
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLR9343PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，55V，20A，DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLR9343PBF International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 20A DPAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRLR9343PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，55V，20A，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLR9343PBF | 2468060 | INFINEON 晶体管, MOSFET, P沟道, -20 A, -55 V, 0.093 ohm, -10 V, -1 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRLR9343PBF 品牌： Infineon 库存编号： 650-4520 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： IRLR9343PBF 品牌： Infineon 库存编号： 913-3963 | 搜索 |
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| IRLR9343PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，55V，20A，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 21 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 9.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 31 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 660 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 最大功率耗散 | 79000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.105 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm |
