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IRLR8743TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRLR8743TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 30V 160A 39nC 3.1mOhm Qg log lvl RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLR8743TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLR8743TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 MOHM, 39 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK (Alt: IRLR8743TRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRLR8743TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 MOHM, 39 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK (Alt: IRLR8743TRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRLR8743TRLPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 30V, 160A, 3.1 MOHM, 39 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK - Tape and Reel (Alt: IRLR8743TRLPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLR8743TRLPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
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数据列表 | IRL(R,U)8743PbF |
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产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 160A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 3.1 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 100µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 59nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4880pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 135W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252AA |