| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR8729PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR8729PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR8729PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR8729PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR8729PBF [更多] | Infineon Technologies AG |
| 搜索 |
| IRLR8729PBF [更多] | International Rectifier |
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR8729PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 55 W
| 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR8729PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 30V, 58A, 55W, DPAK
| 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLR8729PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRLR8729PBF 品牌： Infineon 库存编号： 688-7248 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 30 V 71 A 55 W DPAK, IRLR8729PBF, IR 型号：IRLR8729PBF 仓库库存编号：171-02-336 |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLR8729PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLR8729PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRLR8729PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IRL(R,U)8729PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRLR8729PBF Saber Model IRLR8729PBF Spice Model |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 58A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1350pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 55W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
