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IRLR8726PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | 查看库存、价格及货期 |
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IRLR8726PBF![]() | 1698305 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 V ![]() | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRLR8726PBF 品牌: Infineon 库存编号: 688-7244 | 搜索 |
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![]() | IR MOSFET N, 30 V 85 A 75 W DPAK, IRLR8726PBF, IR 型号:IRLR8726PBF 仓库库存编号:171-02-335 | 搜索 |
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数据列表 | IRL(R,U)8726PbF |
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产品相片 | TO-263 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRLR8726PBF Saber Model IRLR8726PBF Spice Model |
标准包装 | 75 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 86A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 5.8 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 23nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2150pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 75W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |