| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR3303TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR3303TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 30V, 33A, 31 MOHM, 17.3 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLR3303TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Tc） 68W（Tc） D-Pak 型号：IRLR3303TRPBF 仓库库存编号：IRLR3303PBFCT-ND 别名：*IRLR3303TRPBF <br>IRLR3303PBFCT <br> |  | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLR3303TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRLR3303TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IRLR3303TRPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 数据列表 | IRLR/U3303PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 设计资源 | IRLR3303 Saber Model IRLR3303 Spice Model |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 35A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 31 毫欧 @ 21A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 68W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 产品目录页面 | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IRLR3303PBFTR IRLR3303TRPBF-ND IRLR3303TRPBFTR-ND |
