| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLR3105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRLR3105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLR3105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK
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| IRLR3105PBF [更多] | International Rectifier |
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| IRLR3105PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 55V, 25A, 57W, DPAK
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLR3105PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLR3105PBF | 8660158 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 55 V, 37 mohm, 10 V, 3 V  (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRLR3105PBF 品牌： Infineon 库存编号： 830-3366 | 搜索 |
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 | IRLR3105PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | IRLR3105PbF, IRLU3105PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRLR3105PBF Saber Model IRLR3105PBF Spice Model |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 25A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 37 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 710pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 57W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRLR3105PBF |
