IRLR2705PBF,IRLR2705PBF|International Rectifier-IRLR2705PBF原装现货,PDF下载
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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

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MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Rail/Tube (Alt: IRLR2705PBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MOSFET, N, D-PAK

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Single N-Channel 55 V 0.04 Ohm 25 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.04Ohm, ID 28A, D-Pak (TO-252AA), PD 68W, -55de

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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 46 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 55V, 28A, 68W, DPAK

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Infineon - IRLR2705PBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705PBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRLR2705PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0557
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IR - IRLR2705PBF - MOSFET N, 55 V 24 A 46 W DPAK, IRLR2705PBF, IR
IR
MOSFET N, 55 V 24 A 46 W DPAK, IRLR2705PBF, IR


型号:IRLR2705PBF
仓库库存编号:171-18-664

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IRLR2705PBF|International Rectifier
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IRLR2705PBF
制造商型号: IRLR2705PBF
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
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库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 IRLR2705PbF, IRLU2705PbF
产品相片 TO-263
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRLR2705 Saber Model
IRLR2705 Spice Model
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)28A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)40 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)25nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)880pF @ 25V
功率 - 最大值68W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak

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