IRLR120N,IRLR120N|International Rectifier代理分销-IRLR120N原装现货,PDF下载
PDF查询| 标准包装 ： | 75 |
| 系列 ： | HEXFET® |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 185 毫欧 @ 6A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 20nC @ 5V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 440pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 48W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 供应商设备封装 ： | D-Pak |
| 包装 ： | 管件 |
