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IRLMS2002PBF
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IRLMS2002PBF
制造商型号:
IRLMS2002PBF
制造商:
INTERNATIONAL RECTIFIER
描述:
场效应管 MOSFET N MICRO-6
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N MICRO-6
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 6.5A
漏源电压, Vds: 20V
在电阻RDS(上): 30mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.2V
功耗, Pd: 2W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: μSOIC
针脚数: 6
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: 2G
功耗, Pd: 2W
功耗, Pd: 2W
外宽: 3.00mm
外部深度: 3.00mm
外部长度/高度: 1.45mm
封装/箱盒: Micro6
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
时间, trr 典型值: 11ns
栅极电荷 Qg N沟道: 15nC
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 6.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds: 20V
电压, Vds 典型值: 20V
电压, Vgs 最高: 12V
电容值, Ciss 典型值: 1310pF
电流, Idm 脉冲: 20A
电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值: 15nC
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
通态电阻 @ Vgs = 2.5V: 45mohm
通态电阻 @ Vgs = 4.5V: 30mohm
阈值电压, Vgs th 最低: 0.6V
产地: MY Malaysia
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