数据列表 | IRLML6401PbF |
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产品相片 | SOT-23-3 |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRLML6401TR Saber Model IRLML6401TR Spice Model |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.3A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 50 毫欧 @ 4.3A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 830pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1.3W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | Micro3?/SOT-23 |
产品目录页面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | IRLML6401PBFTR |