IRLML6401TR,IRLML6401TR|International Rectifier代理分销-IRLML6401TR原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRLML6401 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 设计资源 | IRLML6401TR Saber Model IRLML6401TR Spice Model |
| PCN Obsolescence | (PMD) Leaded Parts 25/May/2012 |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4.3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 15nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 830pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | Micro3?/SOT-23 |
| 其它名称 | *IRLML6401TR IRLML6401 IRLML6401-ND IRLML6401CT |
