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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

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MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLML2502TRPBF)

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R - Cut TR (SOS) (Alt: IRLML2502TRPBF/BKN)

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Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin Micro T/R - Tape and Reel (Alt: IRLML2502GTRPBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R

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MOSFET, N-CH, 20V, 4.2A, SOT-23

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IRLML2502GTRPBF N-channel MOSFET Transistor, 4.2 A, 20 V, 3-Pin SOT-23

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 20V, RDS(ON) 0.035Ohm, ID 4.2A, Micro3, PD 1.25W, VGS +/-12V

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23

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IRLML2502PBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.25 W

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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-236AB

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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-23

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International Rectifier

4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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International Rectifier

4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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Infineon Technologies - IRLML2502TR - MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4.2A(Ta) 1.25W(Ta) Micro3?/SOT-23

型号:IRLML2502TR
仓库库存编号:IRLML2502CT-ND
别名:*IRLML2502TR <br>IRLML2502 <br>IRLML2502-ND <br>IRLML2502CT <br>

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLML2502PBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
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International Rectifier
晶体管,MOSFET,IRLML2502TR
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International Rectifier
晶体管,MOSFET,IRLML2502TR
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International Rectifier
MOSFET,N沟道,20V,4.2A,SOT23
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IRLML2502PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRLML2502PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N SOT-23
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IRLML2502TR|International RectifierIRLML2502TR
International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLML2502PBF
INFINEON IRLML2502PBF
9102981

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V

(EN)
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IRLML2502PBF
INFINEON IRLML2502PBF
9102981RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V

(EN)
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IR - IRLML2502PBF - MOSFET N, 20 V 4.2 A 1.25 W SOT-23, IRLML2502PBF, IR
IR
MOSFET N, 20 V 4.2 A 1.25 W SOT-23, IRLML2502PBF, IR


型号:IRLML2502PBF
仓库库存编号:171-39-652

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IRLML2502TR|International RectifierIRLML2502TR
International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
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IRLML2502PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRLML2502PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N SOT-23
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International Rectifier
MOSFET,N沟道,20V,4.2A,SOT23
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International Rectifier
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
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International Rectifier
晶体管,MOSFET,IRLML2502TR
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLML250
制造商型号: IRLML250
制造商: International Rectifier
描述: 晶体管,MOSFET,IRLML2502TR
技术参考: PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间54 ns
典型接通延迟时间7.5 ns
典型栅极电荷@Vgs8 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds740 pF V @ 15
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型Micro3
尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1250 mW
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压20 V
最大漏源电阻值0.045 Ω
最大连续漏极电流4.2 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度3.04mm
高度1.02mm

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