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IRLI620GPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp

RoHS: Compliant

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IRLI620GPBF|VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIERIRLI620GPBF
VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N TO-220FP 200V 4.1A
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Vishay Siliconix - IRLI620GPBF - MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP

详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3

型号:IRLI620GPBF
仓库库存编号:IRLI620GPBF-ND
别名:*IRLI620GPBF
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IRLI620GPBF|VISHAY SILICONIX
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLI620GPBF
制造商型号: IRLI620GPBF
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 IRLI620GPBF
产品相片 TO-220AB
产品目录绘图 IR(L,F)I Series Side 1
IR(L,F)I Series Side 2
标准包装  1,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)800 毫欧 @ 2.4A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)360pF @ 25V
功率 - 最大值30W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
供应商器件封装TO-220-3
其它名称*IRLI620GPBF

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