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IRLI620GPBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLI620GPBF | VISHAY SILICONIX | MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP 详细描述:通孔 N 沟道 200V 4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3 型号:IRLI620GPBF 仓库库存编号:IRLI620GPBF-ND 别名:*IRLI620GPBF | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | IRLI620GPBF |
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产品相片 | TO-220AB |
产品目录绘图 | IR(L,F)I Series Side 1 IR(L,F)I Series Side 2 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 800 毫欧 @ 2.4A,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 360pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 30W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRLI620GPBF |