数据列表 | IRLHS6342PBF |
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产品相片 | 6-PowerVDFN |
产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
设计资源 | IRLHS6342TR2PBF Saber Model IRLHS6342TR2PBF Spice Model |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 15.5 毫欧 @ 8.5A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1019pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-PowerVDFN |
供应商器件封装 | 6-PQFN(2x2) |
其它名称 | IRLHS6342TRPBF-ND IRLHS6342TRPBFTR |