| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLHS2242TR2PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，20V，7.2A，HEXFET，PQFN6EP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLHS2242TR2PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，20V，7.2A，HEXFET，PQFN6EP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLHS2242TR2PBF International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： IRLHS2242TR2PBF 品牌： Infineon 库存编号： 760-4422 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7.2A（Ta），15A（Tc） 2.1W（Ta），9.6W（Tc） 6-PQFN（2x2） 型号：IRLHS2242TR2PBF 仓库库存编号：IRLHS2242TR2PBFCT-ND 别名：IRLHS2242TR2PBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 54 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.9 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC V @ -10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 877 pF V @ -10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 9.6 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | -20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 53 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | -15 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极 | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 高度 | 0.95mm |
