| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLHM630TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLHM630TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 40A, 3.5 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, PQFN3.3X3.3 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLHM630TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 21A PQFN 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3） 型号：IRLHM630TR2PBF 仓库库存编号：IRLHM630TR2PBFCT-ND 别名：IRLHM630TR2PBFCT | 无铅 | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 30 V 21 A 2.7 W PQFN-8 (3x3), IRLHM630TR2PBF, IR 型号：IRLHM630TR2PBF 仓库库存编号：171-01-273 |  | 搜索 |
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 | IRLHM630TR2PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | IRLHM630PbF |
|---|---|
| 产品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
| 标准包装 | 400 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 21A （Ta）， 40A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 62nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3170pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | PQFN（3x3） |
| 其它名称 | IRLHM630TR2PBFTR |
