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| IRLHM620TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 2.5mOhm Drv cpbl RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLHM620TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 20V, 40A, 2.5 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, PQFN3.3X3.3 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRLHM620TR2PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，20V，26A，HEXFET，PQFN8EP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLHM620TR2PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，20V，26A，HEXFET，PQFN8EP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLHM620TR2PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN | 查价格库存 查看详细 |
| IRLHM620TR2PBF-BKN IR | MOSFET, 20V, 40A, 2.5 MOHM, 2.5V DRIVE CAPABLE, PQFN3.3X3.3 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： IRLHM620TR2PBF 品牌： International Rectifier 库存编号： 760-4410 | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 26A PQFN 详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），40A（Tc） 2.7W（Ta），37W（Tc） PQFN（3x3） 型号：IRLHM620TR2PBF 仓库库存编号：IRLHM620TR2PBFCT-ND 别名：IRLHM620TR2PBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 57 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 52 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 3620 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 尺寸 | 3.3 x 3.3 x 1mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 37 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、三源 | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 1mm |
